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Transistor: P-MOSFET; unipolare; 100V; 38A; Idm: 240A; 192,3W; TO263


Quantità:  pezzo  
Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-WMM240P10HG4-CYG
Produttore:
     WAYON
N. Art. Produtt.:
     WMM240P10HG4
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
MOSFET
fet di giunzione
Produttore: WAYON
Montaggio: SMD
Corpo: TO263
Tensione drenaggio-fonte: 100V
Corrente di drenaggio: 38A
Resistenza nello stato di conduzione: 26mΩ
Tipo del transistor: P-MOSFET
Potenza dissipata: 192,3W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Prezzo unitario: No
Carico della porta: 64,6nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: 240A
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