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Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolare; 600V; 10,5A; Idm: 40A


Quantità:  pezzo  
Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-WMM26N60F2-CYG
Produttore:
     WAYON
N. Art. Produtt.:
     WMM26N60F2
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: WAYON
Montaggio: SMD
Corpo: TO263
Tensione drenaggio-fonte: 600V
Corrente di drenaggio: 10,5A
Resistenza nello stato di conduzione: 0,21Ω
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 135W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Prezzo unitario: No
Carico della porta: 22,1nC
Tecnologia: WMOS™ F2
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±30V
Corrente di drain pulsata: 40A
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