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Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolare; 900V; 4A; Idm: 16A; 65W


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-WMM4N90D1-CYG
Produttore:
     WAYON
N. Art. Produtt.:
     WMM4N90D1
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: WAYON
Montaggio: SMD
Corpo: TO263
Tensione drenaggio-fonte: 900V
Corrente di drenaggio: 4A
Resistenza nello stato di conduzione: 2,9Ω
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 65W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Prezzo unitario: No
Carico della porta: 26nC
Tecnologia: WMOS™ D1
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±30V
Corrente di drain pulsata: 16A
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