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Transistor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolare; 650V; 38A; 277W; TO262


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Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolare; 650V; 38A; 277W; TO262
Transistor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolare; 650V; 38A; 277W; TO262
N. Articolo:
     5068-WMN38N65FD-CYG
Produttore:
     WAYON
N. Art. Produtt.:
     WMN38N65FD
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: WAYON
Montaggio: THT
Corpo: TO262
Tensione drenaggio-fonte: 650V
Corrente di drenaggio: 38A
Resistenza nello stato di conduzione: 0,115Ω
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 277W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: tubo
Tecnologia: WMOS™ FD
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±30V
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, transistor di potenza
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