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Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolare; 1kV; 2,2A; Idm: 12A; 65W


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-WMO07N100C2-CYG
Produttore:
     WAYON
N. Art. Produtt.:
     WMO07N100C2
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: WAYON
Montaggio: SMD
Corpo: TO252
Tempo di prontitudine: 260ns
Tensione drenaggio-fonte: 1kV
Corrente di drenaggio: 2,2A
Resistenza nello stato di conduzione:
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 65W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 3,8nC
Tecnologia: WMOS™ C2
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±30V
Corrente di drain pulsata: 12A
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