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Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolare; 650V; 3,6A; Idm: 12A; 45W


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-WMO08N65C4-CYG
Produttore:
     WAYON
N. Art. Produtt.:
     WMO08N65C4
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: WAYON
Montaggio: SMD
Corpo: TO252
Tensione drenaggio-fonte: 650V
Corrente di drenaggio: 3,6A
Resistenza nello stato di conduzione: 780mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 45W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 7,3nC
Tecnologia: WMOS™ C4
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±30V
Corrente di drain pulsata: 12A
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