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Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolare; 1kV; 3,3A; Idm: 18A; 86W


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-WMO10N100C2-CYG
Produttore:
     WAYON
N. Art. Produtt.:
     WMO10N100C2
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: WAYON
Montaggio: SMD
Corpo: TO252
Tensione drenaggio-fonte: 1kV
Corrente di drenaggio: 3,3A
Resistenza nello stato di conduzione: 1,4Ω
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 86W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 18,8nC
Tecnologia: WMOS™ C2
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±30V
Corrente di drain pulsata: 18A
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