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Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolare; 800V; 12A; 86W; TO252


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Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolare; 800V; 12A; 86W; TO252
Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolare; 800V; 12A; 86W; TO252
N. Articolo:
     5068-WMO12N80M3-CYG
Produttore:
     WAYON
N. Art. Produtt.:
     WMO12N80M3
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: WAYON
Montaggio: SMD
Corpo: TO252
Tensione drenaggio-fonte: 800V
Corrente di drenaggio: 12A
Resistenza nello stato di conduzione: 620mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 86W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Tecnologia: WMOS™ M3
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±30V
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