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Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolare; 500V; 9A; Idm: 36A; 104W


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-WMO9N50D1B-CYG
Produttore:
     WAYON
N. Art. Produtt.:
     WMO9N50D1B
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: WAYON
Montaggio: SMD
Corpo: TO252
Tensione drenaggio-fonte: 500V
Corrente di drenaggio: 9A
Resistenza nello stato di conduzione: 0,68Ω
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 104W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Prezzo unitario: No
Carico della porta: 72nC
Tecnologia: WMOS™ D1
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±30V
Corrente di drain pulsata: 36A
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