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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 650V; 4A; SOT223


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-WMT4N65D1B-CYG
Produttore:
     WAYON
N. Art. Produtt.:
     WMT4N65D1B
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
MOSFET
fet di giunzione
Produttore: WAYON
Montaggio: SMD
Corpo: SOT223
Tensione drenaggio-fonte: 650V
Corrente di drenaggio: 4A
Resistenza nello stato di conduzione: 2,55Ω
Tipo del transistor: N-MOSFET
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Prezzo unitario: No
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±30V
Riepilogo condizioni1
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