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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 650V; 4A; Idm: 16A; 51W; TO252


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Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 650V; 4A; Idm: 16A; 51W; TO252
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 650V; 4A; Idm: 16A; 51W; TO252
N. Articolo:
     5068-YJ4N65CP-YAN
Produttore:
     YANGJIE TECHNOLOGY
N. Art. Produtt.:
     YJ4N65CP
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: YANGJIE TECHNOLOGY
Montaggio: SMD
Corpo: TO252
Tensione drenaggio-fonte: 650V
Corrente di drenaggio: 4A
Resistenza nello stato di conduzione: 2,6Ω
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 51W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 20nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: 16A
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