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Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolare; 60V; 95A; 59W


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-YJB150G06AK-YAN
Produttore:
     YANGJIE TECHNOLOGY
N. Art. Produtt.:
     YJB150G06AK
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: YANGJIE TECHNOLOGY
Montaggio: SMD
Corpo: TO263
Tensione drenaggio-fonte: 60V
Corrente di drenaggio: 95A
Resistenza nello stato di conduzione: 4,8mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 59W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Proprieta degli elementi semiconduttori: ESD protected gate
Carico della porta: 71nC
Tecnologia: SPLIT GATE TRENCH
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: 450A
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