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Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolare; -15V; -1,6A


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Informazioni sul prodotto
Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolare; -15V; -1,6A
Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolare; -15V; -1,6A
N. Articolo:
     5068-YJL2301G-YAN
Produttore:
     YANGJIE TECHNOLOGY
N. Art. Produtt.:
     YJL2301G
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: YANGJIE TECHNOLOGY
Montaggio: SMD
Corpo: SOT23
Tensione drenaggio-fonte: -15V
Corrente di drenaggio: -1,6A
Resistenza nello stato di conduzione: 0,18Ω
Tipo del transistor: P-MOSFET
Potenza dissipata: 0,7W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 3,9nC
Tecnologia: TRENCH POWER LV
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±10V
Corrente di drain pulsata: -8A
Altri termini di ricerca: transistor di potenza
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