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Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolare; 20V; 5,4A; 1,2W


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Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolare; 20V; 5,4A; 1,2W
Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolare; 20V; 5,4A; 1,2W
N. Articolo:
     5068-YJL2312A-YAN
Produttore:
     YANGJIE TECHNOLOGY
N. Art. Produtt.:
     YJL2312A
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: YANGJIE TECHNOLOGY
Montaggio: SMD
Corpo: SOT23
Tensione drenaggio-fonte: 20V
Corrente di drenaggio: 5,4A
Resistenza nello stato di conduzione: 39mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 1,2W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 4,6nC
Tecnologia: TRENCH POWER LV
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±10V
Corrente di drain pulsata: 27A
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