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Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolare; -30V; -4,4A


Quantità:  pacchetti  
Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-YJQ3407A-YAN
Produttore:
     YANGJIE TECHNOLOGY
N. Art. Produtt.:
     YJQ3407A
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: YANGJIE TECHNOLOGY
Montaggio: SMD
Corpo: DFN2020-6
Tensione drenaggio-fonte: -30V
Corrente di drenaggio: -4,4A
Resistenza nello stato di conduzione: 64mΩ
Tipo del transistor: P-MOSFET
Potenza dissipata: 1,4W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Prezzo unitario: No
Carico della porta: 11,65nC
Tecnologia: TRENCH POWER LV
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: -22A
Altri termini di ricerca: transistor di potenza
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