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Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolare; 60V; 7,5A


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Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolare; 60V; 7,5A
Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolare; 60V; 7,5A
N. Articolo:
     5068-YJS12G06A-YAN
Produttore:
     YANGJIE TECHNOLOGY
N. Art. Produtt.:
     YJS12G06A
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: YANGJIE TECHNOLOGY
Montaggio: SMD
Corpo: SOP8
Tensione drenaggio-fonte: 60V
Corrente di drenaggio: 7,5A
Resistenza nello stato di conduzione: 13mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 1,24W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Prezzo unitario: No
Carico della porta: 31nC
#Offerte #promozionali: aac_202202
Tecnologia: SPLIT GATE TRENCH
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: 48A
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