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Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolare; 100V; 7,6A


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Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolare; 100V; 7,6A
Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolare; 100V; 7,6A
N. Articolo:
     5068-YJS12N10A-YAN
Produttore:
     YANGJIE TECHNOLOGY
N. Art. Produtt.:
     YJS12N10A
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: YANGJIE TECHNOLOGY
Montaggio: SMD
Corpo: SOP8
Tensione drenaggio-fonte: 100V
Corrente di drenaggio: 7,6A
Resistenza nello stato di conduzione: 17mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 3,3W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 80nC
Tecnologia: SPLIT GATE TRENCH
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: 120A
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