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Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolare; 20V; -10,4A


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Informazioni sul prodotto
Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolare; 20V; -10,4A
Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolare; 20V; -10,4A
N. Articolo:
     5068-YJS2022A-YAN
Produttore:
     YANGJIE TECHNOLOGY
N. Art. Produtt.:
     YJS2022A
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
MOSFET
fet di giunzione
Produttore: YANGJIE TECHNOLOGY
Montaggio: SMD
Corpo: SOP8
Tensione drenaggio-fonte: 20V
Corrente di drenaggio: -10,4A
Resistenza nello stato di conduzione: 26mΩ
Tipo del transistor: P-MOSFET
Potenza dissipata: 3W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Prezzo unitario: No
Carico della porta: 72,8nC
#Offerte #promozionali: aac_202202
Tecnologia: TRENCH POWER MV
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±10V
Corrente di drain pulsata: -55A
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