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Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolare; -30V; -4,1A


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Informazioni sul prodotto
Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolare; -30V; -4,1A
Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolare; -30V; -4,1A
N. Articolo:
     5068-YJS9435A-YAN
Produttore:
     YANGJIE TECHNOLOGY
N. Art. Produtt.:
     YJS9435A
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: YANGJIE TECHNOLOGY
Montaggio: SMD
Corpo: SOP8
Tensione drenaggio-fonte: -30V
Corrente di drenaggio: -4,1A
Resistenza nello stato di conduzione: 75mΩ
Tipo del transistor: P-MOSFET
Potenza dissipata: 2,5W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 6,8nC
Tecnologia: TRENCH POWER LV
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: -20A
Altri termini di ricerca: transistor di potenza
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