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Transistor: N-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; unipolare; 30V; 9,6A


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Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; unipolare; 30V; 9,6A
Transistor: N-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; unipolare; 30V; 9,6A
N. Articolo:
     5068-YJSD12N03A-YAN
Produttore:
     YANGJIE TECHNOLOGY
N. Art. Produtt.:
     YJSD12N03A
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: YANGJIE TECHNOLOGY
Montaggio: SMD
Corpo: SOP8
Tensione drenaggio-fonte: 30V
Corrente di drenaggio: 9,6A
Resistenza nello stato di conduzione: 15mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET x2
Potenza dissipata: 2,5W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Prezzo unitario: No
Carico della porta: 23,6nC
#Offerte #promozionali: aac_202202
Tecnologia: TRENCH POWER LV
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: 50A
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