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Transistor: P-MOSFET; unipolare; -30V; -3,2A; Idm: -14,4A; 1,1W


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-ZXMP3A17E6TA
Produttore:
     Diodes
N. Art. Produtt.:
     ZXMP3A17E6TA
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: DIODES INCORPORATED
Montaggio: SMD
Corpo: SOT26
Tensione drenaggio-fonte: -30V
Corrente di drenaggio: -3,2A
Resistenza nello stato di conduzione: 70mΩ
Tipo del transistor: P-MOSFET
Potenza dissipata: 1,1W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: -14,4A
Altri termini di ricerca: transistor di potenza
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