Infineon Technologies IRF3709ZPBF MOSFET 1 Canale N 79 W TO-220AB

MOSFET

dati tecnici:
C(ISS): 2130 pF · C(ISS) Tensione riferimento: 15 V · Caratteristiche (transistor): Canale N · Caratteristiche Transistor: Standard · Case: TO-220AB · Compatibile RoHS: Sì · Fabbricante: Infineon Technologies · I(d): 87 A · Metodo di montaggio: Foro passante · Numero canali: 1 · Potenza (max) P(TOT): 79 W · Q(G): 26 C · Q(G) Tensione di riferimento: 4.5 V · R(DS)(on): 6.3 mΩ · R(DS)(on) Corrente di riferimento: 21 A · R(DS)(on) Tensione di riferimento: 10 V · Serie (semiconduttori): HEXFET® · Sigla produttore (componenti): INF · Temperatura d'esercizio (min.) (n.): -55 °C · Temperatura di esercizio (max.) (n.): +175 °C · Tensione di interruzione U(BR) (DSS): 30 V · Tipo (tipo di produttore): IRF3709ZPBF · Tipo transistor (categorizzazione): MOSFET · U(DSS): 30 V · U(GS)(th) Corrente di riferimento max.: 250 µA · U(GS)(th) max.: 2.25 V