Infineon Technologies IRF1010NPBF MOSFET 1 Canale N 180 W TO-220

MOSFET

Un transistor MOSFET è un componente comandato dalla tensione e può essere collegato direttamente a fonti con valore ohmico elevato. Si presta pertanto all'impiego come interruttore o amplificatore analogico. Nota: produttore SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.

dati tecnici:
C(ISS): 3210 pF · C(ISS) Tensione riferimento: 25 V · Caratteristiche (transistor): Canale N · Caratteristiche Transistor: Standard · Case: TO-220 · Compatibile RoHS: Sì · Fabbricante: Infineon Technologies · I(d): 85 A · Metodo di montaggio: Foro passante · Numero canali: 1 · Potenza (max) P(TOT): 180 W · Q(G): 120 C · Q(G) Tensione di riferimento: 10 V · R(DS)(on): 11 mΩ · R(DS)(on) Corrente di riferimento: 43 A · R(DS)(on) Tensione di riferimento: 10 V · Serie (semiconduttori): HEXFET® · Sigla produttore (componenti): INF · Temperatura d'esercizio (min.) (n.): -55 °C · Temperatura di esercizio (max.) (n.): +175 °C · Tensione di interruzione U(BR) (DSS): 55 V · Tipo (tipo di produttore): IRF1010NPBF · Tipo transistor (categorizzazione): MOSFET · U(DSS): 55 V · U(GS)(th) Corrente di riferimento max.: 250 µA · U(GS)(th) max.: 4 V