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JFET SiC normalmente in conduzione, 20V, TO-247-3L, Canale N


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     7ZX53-30151484
Produttore:
     United Silicon Carbide
N. Art. Produtt.:
     UJ3N120035K3S
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
fet di giunzione
Nome del prodotto=JFET SiC normalmente in conduzione, Tipo=UJ3N120035K3S, Corrente di drain continua (Id)=63 A, Dissipazione di potenza (Pd)=429 W, Pin=3, Resistenza di chiusura=35 mΩ, Temperatura di esercizio, max.=175 °C, Temperatura di esercizio, min.=-55 °C, Temperatura riflusso max.=250 °C, Tensione cut-off gate-source max. (Vgs(off))=20 V, Tensione di breakdown=1.2 kV, Tensione di scarico di origine (Vds)=1.2 kV, Confezione=Tubetto, Configurazione=Singola, Tipo di canale=Canale N, Tipo di montaggio=Passante, Tipo di pacchetto=TO-247-3L
Altre informazioni:
MERCATEO_WA_NR:
8541290000
Origine:
PH
Codice doganale:
8541290000
Altezza:
6 mm
Peso netto:
6 g
Profondità:
17 mm
Peso lordo:
6 g
Larghezza:
6 mm
Altri termini di ricerca: JFET SiC normalmente in conduzione
Riepilogo condizioni1
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