Nome del prodotto=MOSFET, Tipo=NTD5867NLT4G, Corrente di drain continua (Id)=20 A, Dissipazione di potenza (Pd)=36 W, Pin=4, Resistenza ON (Rds(on))=50 mΩ, Temperatura di esercizio, max.=150 °C, Temperatura di esercizio, min.=-55 °C, Temperatura riflusso max.=260 °C, Tempo di caduta=2.4 ns, Tempo di ritardo accensione=6.5 ns, Tempo di ritardo spegnimento=18.2 ns, Tempo di salita=12.6 ns, Tensione di scarico di origine (Vds)=60 V, Tensione gate-source=20 V, Confezione=Nastro e bobina, Configurazione=Singola, MSL=Livello-1, Polarità transistore=Canale N, Tipo di montaggio=SMD, Tipo di pacchetto=TO-252 Altre informazioni: | | MERCATEO_WA_NR: | 8541290000 | Origine: | MY | Codice doganale: | 8541290000 | Altezza: | 5 mm | Peso netto: | 0,800 g | Profondità: | 20 mm | Peso lordo: | 0,8 g | Larghezza: | 10 mm |
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