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Articolo
Modulo MOSFET, Singola, Canale N, 200V, 115A, 680W, SOT-227B
Quantità:
pezzo
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
7ZX53-30253362
Produttore:
IXYS
N. Art. Produtt.:
IXFN140N20P
EAN/GTIN:
n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Nome del prodotto=Modulo MOSFET, Tipo=IXFN140N20P, Corrente di drain continua (Id)=115 A, Dissipazione di potenza (Pd)=680 W, Resistenza ON (Rds(on))=18 mΩ, Temperatura di esercizio, max.=175 °C, Temperatura di esercizio, min.=-55 °C, Tempo di caduta=90 ns, Tempo di ritardo accensione=30 ns, Tempo di ritardo spegnimento=150 ns, Tempo di salita=35 ns, Tensione di scarico di origine (Vds)=200 V, Tensione di soglia gate-source=5 V, Tensione gate-source=20 V, Confezione=Tubetto, Configurazione=Singola, Polarità transistore=Canale N, Tipo di montaggio=SMD, Tipo di pacchetto=SOT-227B
Altre informazioni:
MERCATEO_WA_NR:
8541100000
Origine:
PH
Codice doganale:
8541100000
Altezza:
13 mm
Peso netto:
30 g
Profondità:
38 mm
Peso lordo:
30 g
Larghezza:
25 mm
... >
Semiconduttori discreti
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Transistori
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Transistori - Moduli MOSFET
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transistor di potenza
,
Modulo MOSFET
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