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MOSFET, Canale N, 650V, 120A, TO-264P


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     7ZX53-30253427
Produttore:
     IXYS
N. Art. Produtt.:
     IXTK120N65X2
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Nome del prodotto=MOSFET, Tipo=IXTK120N65X2, Corrente di drain continua (Id)=120 A, Dissipazione di potenza (Pd)=1.25 kW, Pin=3, Resistenza ON (Rds(on))=23 mΩ, Temperatura di esercizio, max.=150 °C, Temperatura di esercizio, min.=-55 °C, Temperatura riflusso max.=260 °C, Tempo di caduta=10 ns, Tempo di ritardo accensione=32 ns, Tempo di ritardo spegnimento=87 ns, Tempo di salita=24 ns, Tensione di scarico di origine (Vds)=650 V, Tensione gate-source=30 V, Confezione=Tubetto, Configurazione=Singola, Polarità transistore=Canale N, Tipo di montaggio=Passante, Tipo di pacchetto=TO-264P
Altre informazioni:
MERCATEO_WA_NR:
8541100000
Origine:
PT
Codice doganale:
8541100000
Altezza:
45 mm
Peso netto:
10 g
Profondità:
5 mm
Peso lordo:
10 g
Larghezza:
20 mm
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Periodo:entro 7 giorni
Stato della confezione:Confezione originale aperta, senza danni
Stato della merce:non usato
Spese per la spedizione di restituzione:a carico del cliente
Spese amministrative:forfait € 25,00*
Il periodo di garanzia in base alle CGC resta immutato indipendentemente dai diritti di restituzione indicati.
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