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IGBT, 650V, 40A, TO-247


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N. Articolo:
     7ZX53-30283960
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IKW40N65H5FKSA1
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
Nome del prodotto=IGBT, Tipo=IKW40N65H5FKSA1, Collettore-emettitore tensione di saturazione max. (Vce(sat))=1.65 V, Corrente di collettore continua (Ic)=40 A, Corrente di dispersione emettitore=100 nA, Dissipazione di potenza (Pd)=250 W, Pin=3, Temperatura di esercizio, max.=175 °C, Temperatura di esercizio, min.=-40 °C, Temperatura riflusso max.=260 °C, Tensione gate-emettitore (Vge)=20 V, Tensione tra il collettore e l'emettitore (Vceo)=650 V, Confezione=Tubetto, Configurazione=Singola, Tipo di montaggio=Passante, Tipo di pacchetto=TO-247
Altre informazioni:
MERCATEO_WA_NR:
8541100000
Origine:
CN
Codice doganale:
8541100000
Altezza:
5 mm
Peso netto:
8,360 g
Profondità:
45 mm
Peso lordo:
8,36 g
Larghezza:
16 mm
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, transistor igbt, IGBT
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Stato della merce:non usato
Spese per la spedizione di restituzione:a carico del cliente
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Accessori
Convertitore c.c.-c.c. 3W, Vin 4,5 → 9 V c.c., Vout 5 V dc, 15V cc, 5.2kV cc
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