ONSEMI FDS6898A. MOSFET, DOPPIO, N, SMD, SO-8

Tensione drain-source (Vds) canale N 20 V Corrente di drain continua (Id) canale P - Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P - Corrente di drain continua (Id) canale N 9.4 A Resistenza RdsON canale N 0.014 ohm Tipo di canale canale N Resistenza RdsON canale P - Dissipazione di potenza canale N 2 W Dissipazione di potenza canale P - Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOIC Qualificazioni - Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)