Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
8585-1525473 N. Art. Produtt.:
QS6M3TR EAN/GTIN:
n.d. |
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| Tensione drain-source (Vds) canale N 20 V Corrente di drain continua (Id) canale P 1.5 A Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 6 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 20 V Corrente di drain continua (Id) canale N 1.5 A Resistenza RdsON canale N 0.17 ohm Tipo di canale canale N e P complementare Resistenza RdsON canale P 0.17 ohm Dissipazione di potenza canale N 900 mW Dissipazione di potenza canale P 1.25 W Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TSMT Qualificazioni - Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024) |
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| Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Doppi, Effetto, Semiconduttori, Transistori, ROHM, QS6M3TR, 1525473, 152-5473 |
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| | Riepilogo condizioni1 | | | | Tempi di consegna | Stato magazzino | Prezzo | | | | | | |  In magazzino |
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