ONSEMI NTGS3443T1G MOSFET, P

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N. Articolo:
8585-1611251

N. Art. Produtt.:
NTGS3443T1G

Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.058 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 6 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale P Corrente Continua di Drain Id 3.1 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TSOP Tensione Drain Source Vds 20 V Dissipazione di potenza 2 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 950 mV Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)

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