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ROHM 2SK3018T106 TRANSISTOR COMMUTAZIONE MOSFET


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N. Articolo:
     8585-1680169
Produttore:
     ROHM Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     2SK3018T106
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione di test di Rds(on) 4 V Resistenza Drain-Source in conduzione 8 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 100 mA Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOT-323 Tensione Drain Source Vds 30 V Dissipazione di potenza 200 mW Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 1.5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, transistor di potenza, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, ROHM, 2SK3018T106, 1680169, 168-0169
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