Informazioni sul prodotto | |
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| N. Articolo: 8585-1758073 N. Art. Produtt.: BSH201,215 EAN/GTIN: n.d. |
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| Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 2.1 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale P Corrente Continua di Drain Id 160 mA Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOT-23 Tensione Drain Source Vds 60 V Dissipazione di potenza 417 mW Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 1.9 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (27-Jun-2024) |
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| Altri termini di ricerca: transistor di potenza, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, NEXPERIA, BSH201,215, 1758073, 175-8073 |
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| | | | | Stato magazzino: Magazzino 8585 | | Spedizione: Magazzino 8585 | | | | | | Valore dell'ordine | Spedizione | a partire da € 0,00* | € 14,99* | | a partire da € 85,00* | Franco domicilio |
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