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VISHAY SI2305CDS-T1-GE3 MOSFET, CANALE P, 8V, 5.8A, SOT23
Quantità:
pezzi
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
8585-1779258
Produttore:
Vishay
N. Art. Produtt.:
SI2305CDS-T1-GE3
EAN/GTIN:
n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.028 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale P Corrente Continua di Drain Id 5.8 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOT-23 Tensione Drain Source Vds 8 V Dissipazione di potenza 1.7 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 1 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
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Semiconduttori - Discreti
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Transistori a Effetto di Campo (FET)
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Altri termini di ricerca:
transistor a effetto campo
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(FET)
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VISHAY
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SI2305CDS-T1-GE3
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1779258
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177-9258
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