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VISHAY SI2318CDS-T1-GE3 MOSFET,CANALE N,40V,3A,SOT23-3


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Informazioni sul prodotto
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     8585-1838989
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SI2318CDS-T1-GE3
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.036 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 3.9 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-236 Tensione Drain Source Vds 40 V Dissipazione di potenza 750 mW Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 3 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, VISHAY, SI2318CDS-T1-GE3, 1838989, 183-8989
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Accessori
Nel nostro assortimento sono presenti i seguenti accessori:
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Articolo
N. Art. Produtt.
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Accessori
MOSFET Vishay, canale N, 72 mΩ, 5,3 A, SOIC, Montaggio superficiale
Vishay
SI9945BDY-T1-GE3
a partire da € 0,391*
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