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ONSEMI NDS331N MOSFET,CANALE N,20V,1.3A,SSOT3


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     8585-1839006
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     NDS331N
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.11 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 1.3 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SuperSOT Tensione Drain Source Vds 20 V Dissipazione di potenza 500 mW Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 700 mV Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, ONSEMI, NDS331N, 1839006, 183-9006
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