Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
8585-1859000 N. Art. Produtt.:
SIR882DP-T1-GE3 EAN/GTIN:
n.d. |
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| Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0071 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 60 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor PowerPAK SO Tensione Drain Source Vds 100 V Dissipazione di potenza 5.4 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 1.2 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (19-Jan-2021) |
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| Altri termini di ricerca: FET di giunzione, Transistor, MOSFET di potenza, Transistor di potenza, MOSFET, SMD transistor, Transistor SMD, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, VISHAY, SIR882DP-T1-GE3, 1859000, 185-9000 |
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| | | Offerte (2) | | |
| | Stato magazzino | Quantità min. | | Spedizione | | | | | | | | | | | | | | 3000 | | € 7,90* | a partire da € 1,36* | € 1,57* | | | | Magazzino 8585 | | | | 1 | | € 14,99* | a partire da € 1,004* | € 3,10* | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | Prezzi: Magazzino 8585 | | Quantità di ordine | Netto | Lordo | Unità | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | |
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| | | | | Stato magazzino: Magazzino 8585 | | Spedizione: Magazzino 8585 | | | | | | Valore dell'ordine | Spedizione | a partire da € 0,00* | € 14,99* | | a partire da € 85,00* | Franco domicilio |
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| | | | | Condizioni di restituzione per questo articolo: Magazzino 8585 | | | | Questo articolo è escluso dallo storno, dal cambio e dalla restituzione. | | Il periodo di garanzia in base alle CGC resta immutato indipendentemente dai diritti di restituzione indicati. |
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