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Transistor di potenza
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Articolo
NEXPERIA 2N7002PS,115 MOSFET,2 CANALI N,60V,0.32A,SOT363
Quantità:
pezzo
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
8585-1859846
Produttore:
Nexperia
N. Art. Produtt.:
2N7002PS,115
EAN/GTIN:
n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione drain-source (Vds) canale N 60 V Corrente di drain continua (Id) canale P - Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 6 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P - Corrente di drain continua (Id) canale N 320 mA Resistenza RdsON canale N 1 ohm Tipo di canale canale N Resistenza RdsON canale P - Dissipazione di potenza canale N 320 mW Dissipazione di potenza canale P - Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOT-363 Qualificazioni - Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
... >
Semiconduttori - Discreti
>
Transistori a Effetto di Campo (FET)
>
MOSFET Doppi
Altri termini di ricerca:
SMD transistor
,
Transistor SMD
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Transistori
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Transistore
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,
(FET)
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Campo
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Discreti
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Doppi
,
Effetto
,
Semiconduttori
,
NEXPERIA
,
2N7002PS,115
,
1859846
,
185-9846
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MOSFET Nexperia, canale N, 1,6 Ω, 360 mA, SOT-23, Montaggio superficiale
Nexperia
2N7002P,215
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