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ONSEMI NTD6414ANT4G MOSFET,CANALE N,CON DIODO,100V,32A,DPAK


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N. Articolo:
     8585-1879965
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     NTD6414ANT4G
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Diodi
Diodo
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.03 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 32 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor TO-252 (DPAK) Tensione Drain Source Vds 100 V Dissipazione di potenza 100 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 4 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (23-Jan-2024)
Altri termini di ricerca: FET di giunzione, Transistor, Transistor di potenza, MOSFET, SMD transistor, Transistor SMD, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, ONSEMI, NTD6414ANT4G, 1879965, 187-9965
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