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VISHAY SI1317DL-T1-GE3 MOSFET, CAN P, DIODO, 20V, 1.4A, SOT323


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N. Articolo:
     8585-2056676
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SI1317DL-T1-GE3
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Diodi
Diodo
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.125 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale P Corrente Continua di Drain Id 1.4 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOT-323 Tensione Drain Source Vds 20 V Dissipazione di potenza 500 mW Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 450 mV Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
Altri termini di ricerca: FET di giunzione, Transistor, Transistor di potenza, MOSFET, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, VISHAY, SI1317DL-T1-GE3, 2056676, 205-6676
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