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VISHAY SI1016CX-T1-GE3 MOSFET, CH NP, 20V, DIODO, SOT563F


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N. Articolo:
     8585-2056711
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SI1016CX-T1-GE3
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Diodi
Diodo
FET di giunzione
Transistor
Tensione drain-source (Vds) canale N 20 V Corrente di drain continua (Id) canale P 600 mA Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 6 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 20 V Corrente di drain continua (Id) canale N 600 mA Resistenza RdsON canale N 0.33 ohm Tipo di canale canale N e P complementare Resistenza RdsON canale P 0.33 ohm Dissipazione di potenza canale N 220 mW Dissipazione di potenza canale P 220 mW Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOT-563 Qualificazioni - Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, SMD transistor, Transistor SMD, Transistori, Transistore, smd transistor, (FET), Campo, Discreti, Doppi, Effetto, Semiconduttori, VISHAY, SI1016CX-T1-GE3, 2056711, 205-6711
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