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Articolo
VISHAY SI1016CX-T1-GE3 MOSFET, CH NP, 20V, DIODO, SOT563F
Quantità:
pezzo
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
8585-2056711
Produttore:
Vishay
N. Art. Produtt.:
SI1016CX-T1-GE3
EAN/GTIN:
n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Diodi
Diodo
FET di giunzione
Transistor
Tensione drain-source (Vds) canale N 20 V Corrente di drain continua (Id) canale P 600 mA Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 6 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 20 V Corrente di drain continua (Id) canale N 600 mA Resistenza RdsON canale N 0.33 ohm Tipo di canale canale N e P complementare Resistenza RdsON canale P 0.33 ohm Dissipazione di potenza canale N 220 mW Dissipazione di potenza canale P 220 mW Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOT-563 Qualificazioni - Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
... >
Semiconduttori - Discreti
>
Transistori a Effetto di Campo (FET)
>
MOSFET Doppi
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(FET)
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Campo
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Discreti
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Doppi
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Effetto
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Semiconduttori
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VISHAY
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SI1016CX-T1-GE3
,
2056711
,
205-6711
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