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VISHAY SI1539CDL-T1-GE3 MOSFET, CH NP, 30V, DIODO, SOT363


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N. Articolo:
     8585-2056712
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SI1539CDL-T1-GE3
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Diodi
Diodo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione drain-source (Vds) canale N 30 V Corrente di drain continua (Id) canale P 700 mA Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 6 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 30 V Corrente di drain continua (Id) canale N 700 mA Resistenza RdsON canale N 0.323 ohm Tipo di canale canale N e P complementare Resistenza RdsON canale P 0.323 ohm Dissipazione di potenza canale N 340 mW Dissipazione di potenza canale P 340 mW Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOT-363 Qualificazioni - Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (17-Jan-2023)
Altri termini di ricerca: transistor di potenza, (FET), Campo, Discreti, Doppi, Effetto, Semiconduttori, Transistori, VISHAY, SI1539CDL-T1-GE3, 2056712, 205-6712
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