VISHAY SI4288DY-T1-GE3 MOSFET, CH NN, DIODO, 40V, 9.2A, SO8

Tensione drain-source (Vds) canale N 40 V Corrente di drain continua (Id) canale P 9.2 A Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 40 V Corrente di drain continua (Id) canale N 9.2 A Resistenza RdsON canale N 0.0165 ohm Tipo di canale canale N Resistenza RdsON canale P 0.0165 ohm Dissipazione di potenza canale N 3.1 W Dissipazione di potenza canale P 3.1 W Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOIC Qualificazioni - Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (10-Jun-2022)