NEXPERIA PMDT670UPE,115 MOSFET, CAN P, DOPPIO 20V, 550MA, SOT666

Tensione drain-source (Vds) canale N 20 V Corrente di drain continua (Id) canale P 550 mA Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 6 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 20 V Corrente di drain continua (Id) canale N 550 mA Resistenza RdsON canale N 0.67 ohm Tipo di canale canale P Resistenza RdsON canale P 0.67 ohm Dissipazione di potenza canale N 500 mW Dissipazione di potenza canale P 500 mW Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOT-666 Qualificazioni - Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)