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Articolo
ONSEMI FDD86110 MOSFET, CANALE N, 100V, 50A, TO-252
Quantità:
pezzo
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
8585-2083236
Produttore:
onsemi
N. Art. Produtt.:
FDD86110
EAN/GTIN:
n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0085 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 50 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-252 (DPAK) Tensione Drain Source Vds 100 V Dissipazione di potenza 127 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 2.8 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (23-Jan-2024)
... >
Semiconduttori - Discreti
>
Transistori a Effetto di Campo (FET)
>
MOSFET Singoli
Altri termini di ricerca:
transistor a effetto campo
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(FET)
,
Campo
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Discreti
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Effetto
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Semiconduttori
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Transistori
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ONSEMI
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FDD86110
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2083236
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208-3236
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