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ROHM RUF025N02TL MOSFET, CANALE N, 20V, 2.5A, TUMT3


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N. Articolo:
     8585-2143952
Produttore:
     ROHM Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     RUF025N02TL
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Resistenza Drain-Source in conduzione 0.039 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 2.5 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TUMT Tensione Drain Source Vds 20 V Dissipazione di potenza 800 mW Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 300 mV Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024) Tensione di test di Rds(on) 4.5 V
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, SMD transistor, Transistor SMD, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, ROHM, RUF025N02TL, 2143952, 214-3952
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