VISHAY SI2328DS-T1-GE3 MOSFET, CANALE N, 100V, 1.5A, SOT23

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.195 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 1.5 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-236 Tensione Drain Source Vds 100 V Dissipazione di potenza 1.25 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 4 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)