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Articolo
NEXPERIA NX3020NAKV,115 MOSFET, CANALE N, 30V, 0.2A, SOT666
Quantità:
pezzo
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
8585-2311182
Produttore:
Nexperia
N. Art. Produtt.:
NX3020NAKV,115
EAN/GTIN:
n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione drain-source (Vds) canale N 30 V Corrente di drain continua (Id) canale P 200 mA Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 6 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 30 V Corrente di drain continua (Id) canale N 200 mA Resistenza RdsON canale N 2.7 ohm Tipo di canale canale N Resistenza RdsON canale P 2.7 ohm Dissipazione di potenza canale N 375 mW Dissipazione di potenza canale P 375 mW Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOT-666 Qualificazioni - Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
... >
Semiconduttori - Discreti
>
Transistori a Effetto di Campo (FET)
>
MOSFET Doppi
Altri termini di ricerca:
SMD transistor
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Transistor SMD
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Semiconduttori
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NEXPERIA
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NX3020NAKV,115
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2311182
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231-1182
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