Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
8585-2311188 N. Art. Produtt.:
PMCPB5530X,115 EAN/GTIN:
n.d. |
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| Tensione drain-source (Vds) canale N 20 V Corrente di drain continua (Id) canale P 5.3 A Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 20 V Corrente di drain continua (Id) canale N 5.3 A Resistenza RdsON canale N 0.026 ohm Tipo di canale canale N e P complementare Resistenza RdsON canale P 0.026 ohm Dissipazione di potenza canale N 1.17 W Dissipazione di potenza canale P 1.17 W Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOT-1118 Qualificazioni - Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (27-Jun-2024) |
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| Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Doppi, Effetto, Semiconduttori, Transistori, NEXPERIA, PMCPB5530X,115, 2311188, 231-1188 |
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