Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
8585-2311209 N. Art. Produtt.:
PMPB33XN,115 EAN/GTIN:
n.d. |
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| Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.037 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 5.5 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOT-1220 Tensione Drain Source Vds 30 V Dissipazione di potenza 2.4 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 800 mV Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (27-Jun-2024) |
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| Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, NEXPERIA, PMPB33XN,115, 2311209, 231-1209 |
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